Из практики применения MOSFET - транзисторов.

    На IRF840 температура корпуса была 45 градусов, на P4NK60ZFP - 35, не смотря на существенное (в 4 раза!) увеличенное R(ds) on.

    Этот эксперимент очередной раз подчеркивает, что скорость переходных процессов переключения играет гораздо более значимую роль в КПД, чем минимальное сопротивление открытого перехода.

    Применяя при ремонте импульсных БП для ноутбуков SuperMES транзисторы P4NK60ZFP, блоки питания, после ремонта, меньше греются.

    Если смотреть осциллографом работу транзистора в БП, переходные процессы у P4NK60ZFP короче , особенно процесс закрытия, по сравнению с одним из самых распространенным транзистором IRF840, при равных условиях.

    SuperMES транзисторы эффективнее обычных. Сейчас уже есть второе и третье поколение этой технологии, у них еще покруче фронты будут.

    Я признал силовые МОП транзисторы фирм IR и STMicroelectronics.

    STM также делает на сегодняшний день лучшие микроконтроллеры.

    Всю необходимую информацию о MOSFET (МОП) транзисторах можно посмотреть по этим ссылкам.
МОСФЕТы руководство по выбору.
Полевые транзисторы фирмы STMicroelectronics.
Новое поколение МОСФЕТ SuperMESH транзисторов.

    С ув. Белецкий А. И.

         Наши сайты.

         http://ohrana-2010.narod.ru.

         http://mig.h1.ru.

         http://hatakilowatta.narod.ru.